一、技术条件

1.1、功能范围：

可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。

1.2、环境要求

1、环境温度：15—40℃

2、相对湿度：存放湿度不大于70%

3、大气压力：86Kpa—106Kpa

4、电网电压：AC220V±10%无严重谐波

5、电网频率：50Hz±1Hz

6、电源功率：20KW

7、供电电网功率因数：＞0.9

8、气源要求：≥0.6Mpa

9、无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。

二、概述

EN-1230A分立器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

该套测试设备主要由以下几个单元组成：

•  开关特性测试单元
•  反向恢复测试单元
•  栅极电荷测试单元
•  安全工作区测试系统
•  结电容测试单元
•  栅极内阻测试单元
•  雪崩耐量测试单元
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