cassette-less type

8寸槽式湿法清洗设备是半导体制造中关键的基础工艺设备，专为8英寸晶圆的高效化学清洗而设计。其采用多槽串联结构，集成标准化清洗工艺（如SC1、SC2、DHF等），可有效去除晶圆表面的颗粒、有机物、金属污染及氧化层，满足从90nm到制程（如28nm）的清洗需求。设备结合自动化控制、流体力学优化与高洁净度设计，兼具高产能、低缺陷率和工艺灵活性，广泛应用于8~12英寸BCD芯片、MEMS、功率器件及封装领域。

核心功能与技术优势

多槽模块化设计

设备由多个独立槽体组成（如去胶槽、清洗槽、漂洗槽、干燥槽），支持定制化工艺组合，满足不同污染物的去除需求。

槽体材质采用耐腐蚀PFA或PTFE涂层，兼容HF、H?O?、NH?OH等强腐蚀性化学品，确保长期稳定性。

高精度工艺控制

温度与浓度管理：通过PID温控系统（±0.5℃）和在线浓度监测（如折射仪），实时调节化学液参数，保证清洗均匀性。

流体动力学优化：采用溢流式循环或超声波辅助清洗，减少晶圆表面残留，提升边缘区域清洁效果。

时间同步控制：各槽体工艺时间独立可调，支持快速切换SC1/SC2等标准流程或自定义配方。

高效产能与自动化

单台设备产能可达120~180片/小时（视工艺复杂度），支持24小时连续运行。

可选配自动上下料系统（如机械臂或Cassette-less接口），实现与前后道工序的无缝衔接，降低人工干预风险。

超洁净度保障

颗粒控制：槽体内部采用抛光处理（Ra<0.2μm），配合过滤系统（0.1μm~1μm），确保化学液洁净度达Class 10标准。

干燥技术：集成Marangoni干燥或IPA（异丙醇）甩干模块，避免水痕残留，颗粒添加量<5颗/cm?。

交叉污染防护：槽间隔离设计+DIW（去离子水）分级冲洗，防止工艺间化学残留。

兼容性与扩展性

支持8~12英寸晶圆（需升级载具），适配正/负光刻胶去胶、铝/铜金属腐蚀、氧化物去除等多种场景。

可集成物联网（IoT）模块，实时上传工艺数据（如清洗速率、缺陷分布），支持MES系统对接。

典型应用场景

90nm~28nm制程清洗：用于去除光刻后残留胶、蚀刻后金属污染及CVD/PVD薄膜生长前的基底清洁。

功率器件制造：硅基IGBT、碳化硅（SiC）MOSFET的背面金属清洗与钝化层去除。

MEMS工艺：体硅刻蚀后的深槽清洗及释放结构的表面处理。

封装：扇出型封装（Fan-out）中的晶圆临时键合/解合前清洗。

适用行业：集成电路制造、功率半导体、MEMS传感器、封装（FO-WLP、3D封装）。

服务支持：提供工艺调试、耗材供应（清洗液、DIW过滤单元）、终身维护及升级改造方案