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FT838MBD_5V2A充电器方案内置MOS,DIP8封装

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  • 所在地 深圳市

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更新时间:2024-11-29 15:53:51浏览次数:2029

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产品简介

FT838MBD_5V2A充电器方案内置MOS,DIP8封装


FT838MBD五星能效5V2A充电器IC

FT838MBD 10W充电器方案

五能效充电器适配器主控芯片FT838MBD

应用:充电器

功率:5V/2A

详细介绍

FT838MBD_5V2A充电器方案内置MOS,DIP8封装

FT838MBD_5V2A充电器方案内置MOS,DIP8封装

FT838MBD五星能效5V2A充电器IC

FT838MBD 10W充电器方案

五能效充电器适配器主控芯片FT838MBD

应用:充电器

功率:5V/2A

输入电压范围:90~264V

输出电压/电流:5V/2A

尺寸:45.3*36.9mm

典型效率:79%

EMI:Pass

空载待机功耗:<120mw

zui大输出纹波:&lt;80mvp-p

方案名称:FT838MBD_5V/2A

产品优势:

1. 高效率>=78.7% @115V/230V

2. 低待机功耗&lt;120mw

3. 输出纹波噪音低&lt;80mv

4. 内置MOS,DIP8封装,IC温升低,外围元件少,成本低

5. 在五星能效标准基础上有充足的效率余量。

深圳代理(索取更多方案资料技术及样品提供)

联 系 人 :孙兰

地  址 : 深圳市福田区振华路47号家乐大厦四楼B3

电  话:/      

企 业 2850187696

特色概述

 电压输入范围(90Vac~264Vac)

 高效率

 Efficiency &ge; 78.65% @115Vac/230Vac

 低待机功耗

 &lt; 120mW

 输出纹波噪音低

 &lt;80mV

 输出短路保护

 输出过流保护

 的容性负载启机特性

 在5 能效标准基础上有充足的效率余量

 内置功率MOS,DIP-8 封装,IC 温升低;外围元件简洁,成本低。

 

1 简介

FT838MBD_5V 2.0A 是款宽电压输入(90Vac~264Vac),具有高效率,高性价比

的充电器适配器方案。

 

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