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A-5003-4788雷尼绍加长杆测针技术参数
A-5003-4788雷尼绍加长杆测针技术参数TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元【详细】
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A-50034785雷尼绍三坐标测针*
A-50034785雷尼绍三坐标测针*TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元件,确保【详细】
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A-5003-4241雷尼绍三坐标测针工作原理
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A5003-0045雷尼绍RENISHAW三坐标测针
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A5003-0042*英国雷尼绍测针
A5003-0042*英国雷尼绍测针TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元件,确保了【详细】
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A-5003-0044雷尼绍RENISHAW技术参数
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A-5003-0041*英国雷尼绍测针
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A-5003-0039*雷尼绍三坐标测针
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A-50030043雷尼绍测针现货
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A-5003-0038*雷尼绍测针
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A-5003-0036英国雷尼绍renishaw测针
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A-5003-0035雷尼绍RENISHAW测针
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A-5000-8663雷尼绍测针工作原理
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A-5003-0033*英国雷尼绍测针
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A-5000-7808雷尼绍测针技术参数
A-5000-7808雷尼绍测针技术参数TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元件,确【详细】
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A-5000-7801雷尼绍renishaw测针
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A-5000-7805*雷尼绍加长杆测针
A-5000-7805*雷尼绍加长杆测针TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元件,确【详细】
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A-5000-7800*英国雷尼绍三坐标测针
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A-5000-7803*英国雷尼绍三坐标测针
A-5000-7803*英国雷尼绍三坐标测针TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元件【详细】
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A-5000-7807雷尼绍测针三坐标测针
A-5000-7807雷尼绍测针三坐标测针TP200/TP200B测头本体TP200采用微应变片传感器,实现优异的重复性和的三维轮廓测量,即使配用长测针时也不例外。传感器技术提供亚微米级的重复性,并且消除了机械结构式测头存在的各向异性问题。测头采用成熟的ASIC电子元件,【详细】
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