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当前位置：深圳维尔克斯光电有限公司>>光学镜片及配件>>二极管>> SMB1N-1900DRoithner红外发光二极管，PA9T SMD封装
| 应用领域 | 综合 |
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1900nm波长，30mW高功率，PA9T SMD封装的Roithner发光二极管
2023年末，奥地利Roithner公司正式推出了1900nm的红外高功率LED，型号SMB1N-1900D和SMB1N-1900D-02。Roithner 高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。
SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率红外高功率LED，典型峰值波长为1900nm，光输出功率为27mW@1A。Roithner 高功率发光二极管采用聚酰胺树脂 SMD 封装 (PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-1900D-02的光输出功率为30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模制透镜，还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。Roithner红外发光二极管，PA9T SMD封装
Roithner LED SMB1N-1900D与SMB1N-1900D-02的最大区别是SMB1N-1900D-02含有透镜，从而导致其光束角为±9°，而SMB1N-1900D的光束角为±64°。
Roithner 1900nm LED的主要特点：
-红外高功率LED
-特定波长1900nm，光输出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）
-砷化镓芯片（InGaAs chip），1x1mm
- PA9T SMD 封装
-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）
1900nmLED发光二极管的最大额定值*：
*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备
**占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nm高功率LED电子光学特性（TCASE = 25°C）：
Roithner红外发光二极管，PA9T SMD封装
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