Si衬底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

西安齐岳生物供应一系列的导电薄膜：ITO膜、InAlAs膜、InGaAs膜、InGaP膜、ITO+ZnO、La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3、La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3、SiO2+Pt 薄膜、SrMoO4薄膜、LaFeO3膜、LaNiO3膜、La1-xSrxMnO3膜、La1-xSrxTiO3膜、La2Zr2O7膜、Mo膜、MoS2膜、Ni膜、Pt膜、Si3N4膜、SOS膜、SOI膜SiC?4H?膜P型、SiC-3C膜、SiO2膜、SrTiO3膜、YBCO膜、YIG膜、ZnO膜、掺杂ZnO膜、SrRuO3薄膜、TiO2薄膜、ZnO +Au+Cr、ZnO+SiO2、ZnO+钠钙玻璃、ZnO+Pt+Ti（常规尺寸10x10x0.5mm；注：可以按照客户要求加工）。

Si衬底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

代半导体材料是我国十三五规划的重要组成部分,作为代半导体材料的AlN是一种性能的Ⅲ-V族氮化物材料,具有宽的禁带宽度、高的表面声波速度以及高的热导率,成为紫外与深紫外光电子器件、表面声波器件、集成电路层等领域的材料。目前常见制备AlN外延薄膜的衬底有蓝宝石和SiC,但蓝宝石衬底导电导热性能差,SiC衬*格昂贵,因此其商业化发展。Si衬底因价格低廉、工业化成熟以及大尺寸易制备等特点广受关注。然而由于Si衬底与AlN间较大的晶格失配和热失配,Al吸附原子在生长面上迁移率低以及金属有机化合物气相沉积技

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