InP衬底上InAlAs薄膜/GaAs衬底InGaP薄膜
西安齐岳生物供应一系列的导电薄膜：Si基改性Ge薄膜
硅基底石墨烯膜1cm*1cm
硅基底石墨烯膜5cm*5cm
双层石墨烯膜2cm*2cm
康宁7980玻璃上镀ITO膜10x10x0.7mm
康宁7980上镀ito膜(ito film on corning 7980)
InP上镀InAlAs薄膜 掺Fe半型材料 300nm
在InP衬底上生长InAlAs/InGaAs等异质结构
InP衬底上InAlAs薄膜
InP衬底上生长InAlAs薄膜
InAlAs-InGaAs-InP
InP上镀InGaAs薄膜 半型材料
GaAs InGaP薄膜
GaAs衬底InGaP薄膜
金属衬底InGaP/GaAs双结薄膜
InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜
InGaP/GaAs微结构材料
GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜
InGaP/GaAs异质结
ITO+ZnO钠钙玻璃
ITO/ZnO复合材料
纳米ZnO/ITO导电玻璃复合材料
ITO= 100nm，ZnO= 50nm
ITO导电玻璃衬底上沉积出透明致密ZnO薄膜
La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3复合材料
La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3复合材料
InP衬底上InAlAs薄膜/GaAs衬底InGaP薄膜
产品描述：
产品名称： | InP上镀InGaAs薄膜(Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn) |
常规尺寸： | dia 2" ;单抛 |
标准包装： 参数： | 1000级净室100级净袋真空包装或单片盒装 |
InP晶向： | <100>±0.5°with one flat |
InP掺杂类型： | 不掺杂 |
InP尺寸： | dia 2inch x 0.35mm ±25um |
Nc： | < 1E16/cc |
EPD: | <1E4 |
薄膜参数: | In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc. |
薄膜厚度： | 1.0 um (+/- 5%) |
抛光情况： | 单抛 |
表面粗擦度： | Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)
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温馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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