| 价格区间 |
1-1万 |
应用领域 |
综合 |
| 探测器面积 |
0.20 mm2 |
封装 |
扁平 TO18 |
| 光谱响应度 |
280nm |
工作温度 |
-55+170℃ |
| 反向电压 |
20V |
德国Sglux光电二极管紫外线宽带
SG01M-18S 系列
紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC）
0.20 mm² 探测器面积
扁平 TO18 封装，密封，带 1 个绝缘引脚和 1 个外壳引脚
在 280 nm（峰值灵敏度）下进行 10 mW/cm² 的照射可产生约 3200 nA 的电流
具有高耐辐射性的 SiC UV 光电二极管芯片（通过 PTB 检测）
德国Sglux光电二极管紫外线宽带
0.06 mm? 至 36 mm? 的有源表面和用于定位的象限光电二极管
紫外线宽带灵敏度或可选滤光片，用于 UVA、UVB、UVC 或 UV 指数
各种入口窗口和外壳设计（TO 或 SMD）
自 2009 年以来自有 SiC 芯片生产
也可提供 VUV 灵敏度
德国Sglux光电二极管紫外线宽带
光电二极管是密封的，因此是压密的。但是，后触针不得与水或湿气接触。这会影响光电二极管的输出电流。
芯片的有效面积决定了光电探测器可以捕获多少个光子。半导体探测器，如 SiC-UV 光电二极管，将光子转换为电流，即光电流 I。该光电流随芯片的辐照度和有效面积线性增加。由于探测器的价格随着有效面积的增加而增加，因此面积的选择本质上是成本和光电流之间的权衡。 如果您知道要使用 UV 光电二极管测量的最小和最大辐照度，则可以使用以下简化公式来粗略估计给定有源芯片面积 AChip 的光电流 I。 I=Achip *Eλ *1000，其中 I 是光电流，单位为 nA，A 是有效芯片面积，单位为 mm?（输入值 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1.82，或 7.6 或 36），Eλ 是要测量的紫外光源的光谱辐照度，单位为 mW/cm?。最小光电流（待测min辐照度下的光电二极管输出）应不小于 500pA。如果您不熟悉 Eλ，第一步是使用 L 芯片光电二极管 （1.00 mm?）。
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