C3216X5R1E336MT000E tdk多层陶瓷电容(MLCC)专业解析
tdk多层陶瓷电容——1206封装/X5R介质/25V/33μF ±20% 高性价比解决方案来了解下深圳谷京吧:136--1307--7949(魏信同号)
一、核心参数速览
二、深度技术解析
材料与结构优势
X5R介质:在-55℃~+85℃范围内容量变化率≤±15%,平衡了高容量与温度稳定性,适用于消费电子和工业场景。
多层堆叠工艺:TDK采用纳米级陶瓷粉体压制技术,实现33μF高容量与1206小型化的兼容。
电气性能亮点
低ESR设计:优化电极结构降低等效串联电阻,提升高频滤波效率(如开关电源输出端去耦)。
电压降额建议:25V额定电压下,推荐实际工作电压≤20V以延长寿命(高温环境下需进一步降额)。
可靠性验证
通过1000小时85℃/85%RH高温高湿测试(依据JIS C5101-8标准)。
机械强度满足10次回流焊(峰值温度260℃)无开裂。
三、典型应用场景
电源电路:DC-DC转换器输入/输出滤波、LDO稳压器旁路。
信号处理:高速数字电路(如FPGA、DSP)的局部去耦电容。
消费电子:智能手机快充模块、TWS耳机充电仓储能。
四、选型对比与替代建议
替代方案:若需更高温度稳定性,可考虑X7R介质型号(如TDK C3216X7R1E336KT000H),但成本提升约30%。
五、采购与技术支持
供应链保障:TDK原厂直供,交期通常为8-12周(批量订单可协商加急)。
增值服务:提供免费样品申请、PCB布局优化建议(如避免机械应力导致的裂纹)。
注:具体设计需结合实际工况评估,建议通过TDK仿真工具(如SimSurfing)验证参数匹配性。