在制造半导体芯片的绝缘层（如二氧化硅薄膜）时，常用的化学气相沉积方法是使用硅烷（SiH?）和氧气（O?）作为反应气体。气体质量流量控制器（MFC）精确控制硅烷和氧气的流量，确保它们以准确的比例进入反应室。这对于生成高质量、均匀的二氧化硅薄膜至关重要。因为薄膜的厚度、成分和质量直接影响半导体器件的性能，如绝缘性能和电子迁移特性。