产品关键词:转移特性测试.输出特性测试,迁移率测试,线性区迁移率提取,饱和区迁移率提取,迁移率的霍尔测量,晶体管输运特性测试,变温迁移率测试系统,显微系统耦合
产品特点
1. 半导体参数分析仪驱动的迁移率测试
基于 高精度直流源测量单元(SMU),通过 场效应晶体管(FET)传输特性拟合、空间电荷限制电流(SCLC)模型 等方法,精准提取 载流子迁移率(单位:)。半导体参数分析仪具备 fA 级电流分辨率 与 mV 级电压精度,支持 宽量程扫描(nA~mA 电流、0~100V 电压),适配 MOSFET、薄膜晶体管(TFT)、半导体薄膜 等器件测试,同步解析 阈值电压、亚阈值摆幅、接触电阻 等关键电学参数,为 电荷输运机制(如弹道输运、散射效应) 提供定量分析依据。
2. 变温迁移率测试系统
集成 闭环温控模块(温度范围覆盖 -196℃(液氮制冷)~300℃(加热台),控温精度 ±0.1℃),与半导体参数分析仪联动,实现 “温度 - 电学” 同步采集。通过变温测试:
解析 载流子散射机制(如高温下声子散射增强导致迁移率衰减,低温下杂质散射主导的输运行为);
定位 器件热稳定性瓶颈(如功率器件高温迁移率退化、柔性电子低温性能衰减);
适配 高温电子学、柔性器件、宽禁带半导体(如 GaN) 等领域的可靠性研究。
3. 显微系统耦合技术
支持与 光学显微镜(明场 / 暗场 / 荧光,微米级分辨率)、扫描探针显微镜(SPM,纳米级分辨率)、激光共聚焦显微镜 深度耦合:
通过 显微定位系统(亚微米精度),锁定 微区目标(如器件沟道、异质结界面、缺陷位点) 开展迁移率测试;
同步获取 “形貌 - 电学” 关联数据(如观察钙钛矿晶粒边界时,测试该区域载流子输运特性),突破传统宏观测试的 “空间均匀性假设”,揭示 微观结构(如晶粒尺寸、界面态)对迁移率的影响规律,助力 缺陷工程、异质结优化 等研究。
4. 光场耦合测试能力
集成 宽光谱光场模块(波长覆盖 紫外(200nm)~ 近红外(1700nm),支持连续光 / 纳秒脉冲光调控,光强范围,实现 光激发下的迁移率测试:
采用 光电导法、光电流法,分析 光生载流子的产生、输运、复合动力学(如光电器件中迁移率随光强的变化规律);
支持 “栅压 + 光强” 双变量扫描,解析 光 - 电协同调控机制(如钙钛矿光伏器件中光生载流子的迁移率优化);
适配 光敏材料(量子点、有机半导体)、光探测器、光伏电池 等光电器件的 光响应特性与机理研究。