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Opto Diode红蓝增强型探测器

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更新时间:2023-06-09 10:09:46浏览次数:324次

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Opto Diode红蓝增强型探测器的波长范围在400-740nm之间,也可以称之为400-740nm光电探测器。可见光增强型探测器波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。Opto Diode光电二极管波长为632nm时最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W。

Opto Diode红蓝增强型探测器

Opto Diode红蓝增强型探测器低电容,400-740nm


Opto Diode提供高质量的标准和定制的可见光谱硅光电二极管。我们有各种各样低暗电流和低电容的器件。400-740nm光电探测器可以在400-740nm之间的响应,我们生产的红蓝增强型探测器适用于许多应用。对于大批量的需求,您可以直接找我们订购。

Opto Diode光电二极管存储和操作温度范围为-55°C100°C,最高结点温度100°C,引线焊接温度260°COpto Diode可见光增强型探测器总共有14个型号,有效面积为1~42mm?,用三种方式进行密封包装,这三种方式分别是TO-5TO-8TO-18Opto Diode可见光增强型探测器有低暗电流、低电容、圆形有效区域、芯片尺寸可以优化等特点,优化的芯片尺寸可以获得最大的信号。

Opto Diode可见光增强型探测器是增强型光电二极管,红色增强型光电二极管标准品的波长为632nm,蓝色增强型光电二极管标准品的波长为450nm。对于红蓝增强型探测器的其他波长可以找我们定制,蓝色增强型探测器波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。红色增强型探测器波长为632nm时最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W

ODD-1ODD-1WODD-1BODD-1WB25°时的光电特性

TO-18封装、低成本格式、低暗电流、低电容。

活动区域是1.35mmx0.76mm活动区域的典型值是1mm?。VR=10V时暗电流的典型值是0.2nA,最大值是1nA。当电阻的电流为IR=10µA时,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60VVR=10V测试条件下,上升时间典型值为8纳秒,最大值是15纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为25欧姆,最大值是60欧姆。ODD-1ODD-1WODD-1BODD-1WB的特点一样,除了灵敏度和电容不一样。ODD-1BODD-1WB450nm的波长下灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W,当电阻的电压是VR=10V时,电容最大值是2pF,典型值是0.5pFODD-1ODD-1W632的波长下灵敏度最小值是0.36A/W,典型值是0.40 A/W,当电阻的电压是VR=10V时,电容最大值是2pF,典型值是0.2pF

ODD-12WODD-12WB(红蓝增强型探测器)在25°时的光电特性

TO-8密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为4mm测试条件下,活动区域的典型值是12mm?。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是3nA,最大值是7nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是25pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为15纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-12WODD-12WB除了灵敏度不一样,其他都一样,ODD-12W632nm的波长下灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/WODD-12WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W

ODD-15WODD-15WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-5密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

6.27mmx2.52mm测试条件下,活动区域的典型值是15.8mm?。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是4nA,最大值是10nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是30pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为20纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-15WODD-15WB的特点一样,除了波长的灵敏度不一样,ODD-15W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/WODD-15WB波长是450nm, 灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W

ODD-42WODD-42WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-8密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

9.91mmx4.28mm测试条件下,活动区域的典型值是42mm?。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是11nA,最大值是25nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是85pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为35纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-42WODD-42WB只有灵敏度不一样,ODD-42W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/WODD-42WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W

ODD-5WODD-5WBODD-5WBISOLODD-5WISOL25°时的光电特性

TO-5密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为2.52mm测试条件下,活动区域的典型值是5mm?。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是1nA,最大值是3nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是11pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为10纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-5WODD-5WBODD-5WBISOLODD-5WISOL的特点一样,除了灵敏度不一样,ODD-5WODD-5WISOL632nm的波长下灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/WODD-5WBODD-5WBISOL450nm的波长下灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28 A/W

ODD-1型号光电特性图

从电容与偏置电压图中可以看到电容与偏置电压成反比,电容随着偏置电压的增大而减小。从典型的光谱响应图中可以看到灵敏度随着波长增加而变大,当波长达到980nm左右,灵敏度达到最大值。当达到最大值后,灵敏度会随着波长增加而减小。从暗电流与电容关系图中,可以看到暗电流随着电压的增大而增加。想知道更多型号的光电特性图,可以联系我们。

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Opto Diode红蓝增强型探测器

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