中红外红外探测器，光电二极管 返回列表页

最高覆盖5.2μm，峰值灵敏度1.05-1.45 A/W，标准型号多样的红外探测器

1μm至2.5μm的近红外范围（NIR）和2.5μm以上的中红外范围（MIR）的红外探测器是有区别的，为此Laser Components推出了包含所有工作模式的InGaAs PIN光电二极管、InAs光电二极管以及PbS和PbSe检测器。以下是LC红外探测器的具体分类介绍：

InGaAs PIN光电二极管：

现代InGaAs PIN光电二极管具有全色性，可将宽带光转换为可见光和近红外波段的光电流。具体来说，这意味着普通InGaAs的灵敏度范围为500nm到1700nm，而扩展InGaAs的灵敏度范围则可递增到2600nm。值得注意的是InGaAs光电二极管的数据传输的变化不是全色的。中红外红外探测器，光电二极管

红外光InGaAs光电二极管的主要应用：

-光谱学（尤其是近红外傅立叶变换红外光谱）

-激光监测

-非接触式温度测量

-可调谐二极管激光光谱（TDLS）

-分光光度法，例如用于测量水分

-分拣应用

-火焰调节

红外光电二极管InGaAs探测器的主要特点：

-峰值灵敏度从1.05A/W -1.4 A/W

-高动态范围

-线性度高

-灵敏度的温度系数低至 0.01%/K

-全色性，即在可见光和近红外范围内均有灵敏度

红外二极管探测器InGaAs探测器系列根据标称截止波长的不同分为IG17、IG22和IG26，分别对应1.7μm、2.2μm和2.6μm的截止波长。该红外光InGaAs光电二极管系列的开发重点是量子效率，专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计，在宽光谱范围内具有出色的并联电阻和响应性。

红外InAs光电二极管：

Laser Components生产的InAs光电二极管覆盖900nm至3500nm的范围。IA35系列探测器是红外光InGaAs光电二极管IG26系列扩展型 InGaAs 光电二极管的光谱补充。红外InAs光电二极管IA35系列探测器是光伏探测器，有效区域直径为500μm。

红外InAs光电二极管IA35S500S4i 是一款高质量且价格合理的组件。与传统红外探测器制造商的InAs产品相比，它同时在四倍面积上提供双倍分流电阻。中红外红外探测器，光电二极管

InAs光电二极管IA35系列的主要应用：

-非接触式温度测量

-激光监测

-分光光度计

IA35系列红外探测器APD的主要特点：

-峰值灵敏度：≥1.05A/W

-峰值灵敏度80%时的典型光谱范围：约90 nm至约3500nm

-分流电阻：典型值为700Ω

注：按批次测试的参数，100%测试的参数。

PbS和PbSe检测器：

PbS 是标准的SWIR半导体探测器 （1-3.3μm），而PbSe用于MWIR范围（未冷却时为1-4.7μm;冷却时高达5.2μm）。Laser Components的铅盐检测器是光电导的，在照明过程中，探测器电阻会降低，晶体结构为多晶，通过化学沉积产生。

光电导探测器的电阻取决于入射光。PbSe具有特别强的内光电效应：当红外光到达硒化铅检测器时，电阻降低。红外二极管探测器可以在波长高达4.7μm的非制冷条件下使用。在室温下，红外光电二极管的检测率 D*大于1010。在低温下，它们可以达到更高的性能水平，波长偏移至5.2μm。PbSe光电探测器在高灵敏度和良好的时间常数下具有良好的性价比。

PbSe光电探测器可分为PbSe亚硒化铅红外探测器PB45系列、PbSe 硒化铅红外TE冷却探测器PB50系列和PbSe 硒化铅红外TE Ultimate冷却探测器PB55系列。