Opto Diode极紫外光电二极管，探测理想选择 返回列表页

SXUV极紫外光电二极管，极紫外光探测理想选择

SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm²，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。电容随着电压的增加而降低最后达到最小1000pF，暗电流随着电压的增大而增大。Opto Diode极紫外光电二极管，探测理想选择

Optodiode极紫外增强型光电二极管SXUV20C在1nm到200nm波长有的响应。它是专门设计为很长一段时间内稳定暴露在高强度EUV能量。20mm?的圆形活动区域提供了一个实质性的表面便于对准EUV激光。SXUV20C在紫外线环境中具有较高的辐射硬度，比SXUV20HS1极紫外光电探测器更低的噪音。此外SXUV20C极紫外光电探测器具有高光子通量鲁棒性，整体响应度更高。

Opto Diode极紫外光电二极管SXUV20HS1是一个圆形的活动区域，是极紫外探测的理想选择，网格线5微米，间距100微米，同时具有的辐射硬度。Optodiode极紫外增强型光电二极管SXUV20HS1在Vr=150V测试条件下，暗电流的最大值是100nA。在VR=0V测试条件下，SXUV光电探测器SXUV20HS1电容的典型值是500pF，最大值是1500pF。

Opto Diode极紫外光电二极管SXUV300C是矩形活动区，在EUV曝光后有优异稳定性，响应度为1nm的无窗封装，陶瓷包装。Opto Diode极紫外增强型光电二极管SXUV300C有效面积是331mm²，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压典型值是25V。

SXUV光电探测器SXUV5是一个圆形的活动区域，在EUV曝光后有优异稳定性，TO-5封装，响应度为1nm的无窗封装。SXUV光电探测器SXUV5有效区域是5mm²，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压典型值是20V，最小值是5V。

Optodiode极紫外增强型光电二极管特点：

-极紫外光探测的理想选择

-有效面积5-331mm?

-防护罩板

-TO-8、TO-5、陶瓷封装

Opto Diode极紫外光电二极管应用：

       -半导体设备制造，测试和测量

       -医疗、军事和国防

       -工业

-生物技术

       -非常特殊的科学应用

SXUV极紫外光电二极管型号

SXUV极紫外光电二极管具有13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的紫外曝光下具有稳定的响应度，是极紫外光测量的理想选择。

Opto Diode极紫外光电二极管，探测理想选择