美国 AP TECH 锆钨 溅射 阴极
美国 AP TECH,电子源,锆钨 （ZrOW） 热场发射器 （TFE）
热场发射器 （TFE） 与热电子发射器一样被加热，但也经过电化学蚀刻，具有显微镜下锋利，类似于冷场发射器的方式。
美国 AP TECH 锆钨 溅射 阴极
由于发射器的清晰度及其在操作过程中指向抑制器的方向，在源会产生非常高的电场。
场对势垒的降低以及通过加热提供给电子的热能产生了能够在非交叉模式（或虚拟源模式）下运行的源。因此，与热离子发射器不同，TFE 不受空间电荷限制，并且比典型的热离子源亮几个数量级。
APT 现在提供锆钨热场发射器 （ZrOW TFE），俗称肖特基源。ZrOW TFE 是行业标准发射器，适用于需要高亮度、提高空间分辨率、稳定发射和长寿命的电子束应用。
我们的 ZrOW 源符合一般 OEM 性能规格和操作参数，可以使用定制的端形（半径）几何形状和任何发射极基座/抑制器配置（包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 或定制配置）制造。
使用此图表可比较我们的 TE、CFE 和 TFE 离子源的一般操作要求和性能规格
Applied Physics Technologies热离子发射器(TE),AP Tech热离子发射阴极
数十年的研究、开发和电子源制造，AP TECH对电子发射物理学的深入了解使我们的商用热敏、场发射和热场发射阴极生产商，这些产品用于显微镜、微量分析、X 射线生成、光刻、增材制造或任何其他需要高亮度源的电子束应用。
在热离子状态下工作的阴极被加热到高温。当电子有足够的热能来克服制造阴极的材料的功函数时，就会发生发射。
Applied Physics Technologies的热离子阴极由六硼化镧（LaB6）和六硼化铈（CeBix®）制成。LaB6和CeBix®都是低功函数材料，可生产相对高亮度的阴极，有适度的真空要求和较长的保质期。这些阴极在高达20A/cm2的电流密度下提供长期、稳定的操作，使其非常适合小光斑应用，如SEM、TEM、电子束灭菌、表面分析和计量，以及大电流应用，如x射线生成、光刻和增材制造。
在APT，我们在内部种植和制造我们自己的高质量单晶LaB6和CeBix®，使用一种生产商业上最纯和低功函数材料的工艺。经过精炼，我们的硼化物可以定制成各种形状，具有不同的加热、安装和底座配置，所有这些都是为了满足客户的操作和性能要求而设计的。
由于功函数LaB6略低，CeBix®阴极在略低的工作温度下产生更高的电流。因此，CeBix®光源的亮度略高，使用寿命更长。APT是世界上的CeBix®阴极生产商。
Applied Physics Technologies还可以分别提供LaB6和CeBix®单晶棒和单晶盘。
使用此图表可比较我们的 TE、CFE 和 TFE 离子源的一般操作要求和性能规格
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